SIC碳化硅器件参数测试仪
功能及主要参数:
适用碳化硅二极管、IGBT模块\MOS管等器件的时间参数测试。
品牌: 华科智源
名称: SIC动态参数测试仪
型号: HUSTEC-3000
用途: SIC器件，MOS管， IGBT测试
产品详情
功能及主要参数:
适用碳化硅二极管、IGBT模块\MOS管等器件的时间参数测试。
主要技术参数:
IGBT开关特性测试
开关时间测试条件
Ic:50A～1000A Vce:200V～2000V
Vgs:-10V～＋20V Rg:1R～100R可调(可选择4档及外接)
负载:感性负载阻性负载可切换
电感范围:100uH，200uH，500uH，1000uH
电阻范围:0.5R、1R、2R、4R
IGBT开关特性测试参数
开通延迟td(on): 20nS -10uS
上升时间tr: 20nS -10uS
开通能量Eon: 0.1-1000mJ
关断延迟时间td(off):20 nS -10uS
下降时间 tf: 20nS -10uS
关断能量Eoff:0.1-1000mJ
二极管反向恢复特性测试
FRD测试条件:正向电流IF:50A～1000A；反向电压 Vr:200V~2000V；-di/dt:100A/us～10000A/us ；负载:感性负载可选
电感范围:100uH，200uH，500uH，1000uH
FRD测试参数
反向恢复时间trr:20nS -2uS
反向恢复电荷Qc:10nC~10uC；
反向恢复电流Irm:50A~1000A
反向恢复损耗Erec:0.1mJ～1000mJ
产品优势
国内唯一能对二极管、IGBT模块、MOS管等器件的时间参数实施测试的设备。